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117:
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24:
467:
532:
SnTe exists in three crystal phases. At Low temperatures, where the concentration of hole carriers is less than 1.5x10 cm , Tin
Telluride exists in rhombohedral phase also known as α-SnTe. At room temperature and atmospheric pressure, Tin Telluride exists in NaCl-like cubic crystal phase, known as
925:
Das, V. D.; Bahulayan, C., Variation of electrical transport properties and thermoelectric figure of merit with thickness in 1% excess Te-doped Pb 0.2 Sn 0.8 Te thin films. Semiconductor
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Faraday Society 1964, 60 (0), 673-683, DOI: 10.1039/TF9646000673.
480:
208:
609:, the band gap of the SnTe increases beyond the bulk band gap, covering the mid-IR wavelength range. The alloyed material has been used in mid- IR
981:
838:
745:
2285:
1292:
768:
O. Madelung, U. Rössler, M. Schulz; SpringerMaterials; sm_lbs_978-3-540-31360-1_859 (Springer-Verlag GmbH, Heidelberg, 1998),
714:
186:
541:
Pnma. This phase change is characterized by 11 percent increase in density and 360 percent increase in resistance for γ-SnTe.
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648:
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695:
544:
Tin telluride is a thermoelectric material. Theoretical studies imply that the n-type performance may be particularly good.
2280:
667:
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674:
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2050:
605:
is alloyed with SnTe in order to access interesting optical and electronic properties, In addition, as a result of
853:
Kafalas, J. A.; Mariano, A. N., High-Pressure Phase
Transition in Tin Telluride. Science 1964, 143 (3609), 952-952
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916:
Lovett, D. R. Semimetals and narrow-bandgap semiconductors; Pion
Limited: London, 1977; Chapter 7.
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825:. Landolt-Börnstein - Group III Condensed Matter. Vol. 41C. 1998. pp. 1–8.
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863:
Singh, D. J. (2010). "THERMOPOWER OF SnTe FROM BOLTZMANN TRANSPORT CALCULATIONS".
782:
Hein, R.; Meijer, P. (1969). "Critical
Magnetic Fields of Superconducting SnTe".
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for the reaction SnTe(g)-> Sn(g)+ Te(g) : 80.6 ± 1.5 kcal/mole at 298 K
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Except where otherwise noted, data are given for materials in their
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529:) due to tin vacancies and is a low temperature superconductor.
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740:(87 ed.), Boca Raton, FL: CRC Press, pp. 4–90,
823:
Non-Tetrahedrally Bonded
Elements and Binary Compounds I
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Beattie, A. G., J. Appl. Phys., 40, 4818–4821, 1969.
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Tin telluride normally forms p-type semiconductor (
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940:Berlin thermophysical properties database
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556:: - 14.6 ± 0.3 kcal/mole at 298 K
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22:
640:needs additional citations for
563:: 52.1 ± 1.4 kcal/mole at 298 K
461:(at 25 °C , 100 kPa).
554:Standard enthalpy of formation
1:
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865:Functional Materials Letters
2286:Rock salt crystal structure
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573:Bond-dissociation energy
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736:Lide, David R. (1998),
581:: 24.2±0.1 cal/mole.deg
561:Enthalpy of sublimation
527:Extrinsic semiconductor
396:185 J K kg
299:500 cm V s
442:Silicon monotelluride
365:Coordination geometry
2281:IV-VI semiconductors
831:10.1007/10681727_862
649:improve this article
438:Carbon monotelluride
357: = 0.63 nm
817:"Tin telluride (Sn
796:1969PhRv..179..497H
607:Quantum confinement
510:(SnTe); is a IV-VI
446:Germanium telluride
18:
548:Thermal properties
535:orthorhombic phase
488:Infobox references
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520:infrared detector
502:is a compound of
496:Chemical compound
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311:Crystal structure
295:Electron mobility
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