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413:
389:
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industry. In this role, CIGS has the advantage of being able to be deposited on flexible substrate materials, producing highly flexible, lightweight
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1578:
1394:
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Tinoco, T.; Rincón, C.; Quintero, M.; Pérez, G. Sánchez (1991). "Phase
Diagram and Optical Energy Gaps for CuIn
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404:. Improvements in efficiency have made CIGS an established technology among alternative cell materials.
393:
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from about 1.0 eV (for copper indium selenide) to about 1.7 eV (for copper gallium selenide).
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282:
372:
form and the transition temperature decreases from 1045 °C for
237:
Except where otherwise noted, data are given for materials in their
418:
527:
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503:"DOE Solar Energy Technologies Program Peer Review"
40:
CIGS unit cell. Red = Cu, yellow = Se, blue = In/Ga
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524:
414:Copper indium gallium selenide solar cells
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554:Salts and covalent derivatives of the
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443:
441:
439:
388:It is best known as the material for
7:
566:
309:. It has a chemical formula of CuIn
257:Copper indium gallium (di)selenide
25:
508:. U.S. department of energy 2009
33:
241:(at 25 °C , 100 kPa).
28:Copper indium gallium selenide
305:(often abbreviated "CIS") and
1:
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337:semiconductor, with the
1549:Semiconductor materials
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469:Physica Status Solidi A
376:= 0 to 805 °C for
307:copper gallium selenide
424:List of CIGS companies
303:copper indium selenide
279:semiconductor material
18:Copper indium selenide
326:, where the value of
394:thin-film technology
297:. The material is a
1554:Copper(I) compounds
481:1991PSSAR.124..427T
29:
245:Infobox references
27:
1564:Gallium compounds
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253:Chemical compound
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177:Crystal structure
16:(Redirected from
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